江苏省技术产权交易市场

超高压MOSFET芯片开发
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发布时间: 2022-08-12 15:23:01 剩余时间: 已过期
需求编号
4891197790405632
发布者
技术产权交易市场无锡地方分中心
需求状态
已过期
意向投入
¥5,000,000元
联系方式
199xxxx0988 【点击查看】
1000伏以上超高压半导体功率器件项目开发系列化硅功率半导体器件,常用于特种大功率电源、大功率电源、大功率焊机、移动工具、电子仪表、超声电路、口罩机电源等各种功率开关电路,市场需求量巨大。市场常规的1000伏高压功率器件都采用进口芯片国内封装,采用多环终端结构,尺寸非常大,终端占用芯片面积比高,生产成本高;常规多环结构电压一致性差,对工艺一致性要求非常高,良率低,性能不稳定。
       本项目研发超高压MOSFET是一种是硅 N 沟道增强型MOS管,用于变频器、光伏、伺服器、电焊机等电力电子市场,需求量巨大。本项目采用自主研发的终端结构,缩小芯片终端尺寸,有效的减少芯片面积,又提高了击穿的稳定性,降低了工艺难度;同时对内部元胞结构优化,实现更高密度的元胞集成,有效减低导通电阻,实现小面积大电流应用。
       项目产品开发1000V、1200V、1500V、1700V、2500V、3000V多个电压系列产品,芯片产品数在12个以上。目前国内基本没有对应超高压产品,特别是1700V以上产品,项目产品直接替代进口产品(ST、安森美)。
技术领域
电子信息,微电子技术
需求类型
关键技术研发
有效期至
2022-12-31
合作方式
合作开发
需求来源
政府
所在地区
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