江苏省技术产权交易市场

硅深孔刻蚀方法
  • H01L21/768
  • 农、林、牧、渔专业及辅助性活动
  • 半导体器件专用设备制造
  • 电子专用设备制造
  • 电子器件制造
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商品编号
202010602051819893
商品权属
代理
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面议
关键词
侧壁损伤 刻蚀步骤 刻蚀深度 反应生成物 沉积步骤 硅深孔刻蚀 聚合物沉积 进气错位现象

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张萍
电话 186xxxx3244
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商品评价
本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其包括以下步骤:沉积步骤,用于在硅孔侧壁沉积一层聚合物;刻蚀过渡步骤,用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物;刻蚀步骤,用于刻蚀硅孔底部的聚合物,同时增加刻蚀深度;沉积过渡步骤,用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生成物;循环进行上述四个步骤,直至达到所需的总刻蚀深度。本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其可以避免因产生刻蚀步骤和沉积步骤的进气错位现象而造成的刻蚀剖面侧壁损伤,从而可以改善工艺结果。
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