本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其包括以下步骤:沉积步骤,用于在硅孔侧壁沉积一层聚合物;刻蚀过渡步骤,用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物;刻蚀步骤,用于刻蚀硅孔底部的聚合物,同时增加刻蚀深度;沉积过渡步骤,用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生成物;循环进行上述四个步骤,直至达到所需的总刻蚀深度。本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其可以避免因产生刻蚀步骤和沉积步骤的进气错位现象而造成的刻蚀剖面侧壁损伤,从而可以改善工艺结果。
本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其包括以下步骤:沉积步骤,用于在硅孔侧壁沉积一层聚合物;刻蚀过渡步骤,用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物;刻蚀步骤,用于刻蚀硅孔底部的聚合物,同时增加刻蚀深度;沉积过渡步骤,用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生成物;循环进行上述四个步骤,直至达到所需的总刻蚀深度。本发明提供的硅深孔刻蚀方法,其可以避免因产生刻蚀步骤和沉积步骤的进气错位现象而造成的刻蚀剖面侧壁损伤,从而可以改善工艺结果。
商品类型 | 专利 | 申请号 | CN201410676110.X | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 审中 | 技术领域 | |
交易方式 | 开放许可 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 | |