碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，其优异的高电压、大电流、高温、高频特性，使其成为1000V以上的大功率领域的首选器件，可以大大减小电路中储能元件的体积，提高系统的电源密度和可靠性。目前，SiC功率器件已经在智能电网、新能源汽车、轨道交通、新能源并网、工业电机等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。所有SiC功率器件系统（模块）中，都需要与之匹配的高压驱动芯片。高速、高可靠的SiC高压驱动芯片是保证器件高效稳定应用的最核心元件之一。作为控制开关功率器件导通关断的重要组成部分，驱动设计成为是否能充分发挥SiC功率器件特性优势的关键环节。但因国内没有合适的工艺制造技术，导致当前SiC功率器件高压驱动芯片仍依赖于从国外进口。因此，迫切需要研发适用于SiC功率器件超高压驱动芯片的工艺制造技术，实现SiC功率器件专用高压驱动芯片的国产化，提升装备系统的可靠性并减小组件体积，对提升我国新能源汽车、航空航天技术水平和国防现代化建设有着重大意义。